賽晶IGBT芯片及模塊新品發(fā)布

2023年1月18日，賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶）舉行線上新產品發(fā)布會，正式推出最新研發(fā)成果：i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊。

再添“扛鼎之作”- i20系列1700V IGBT芯片組

1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應用于風力發(fā)電、無功補償（SVG）、智能電網，以及中高壓變頻器等領域。

賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經典的溝槽柵及場截止芯片結構，并采用了窄臺面、優(yōu)化N-型增強層、短溝道、3D結構、優(yōu)化P+層等多項行業(yè)前沿理念的優(yōu)化設計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內同類芯片技術的最高水平。

創(chuàng)新設計、國產精品– ST封裝IGBT模塊

已經發(fā)布的首款IGBT模塊（ED封裝IGBT模塊），目前已經向電動汽車、新能源發(fā)電、工控等領域的多家行業(yè)領先客戶批量供貨，并以卓越的性能和表現廣受好評。本次發(fā)布會上，賽晶發(fā)布了第二款工業(yè)級模塊產品- ST封裝IGBT模塊。該模塊，采用行業(yè)標準外形設計（62mm），具有極佳的通用性，是工業(yè)級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發(fā)電、低壓變頻器、UPS電源、電機驅動、數控機床等領域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。

ST封裝IGBT模塊，采用優(yōu)化布局、三維信號傳輸等創(chuàng)新設計（已申請專利）實現了出色的模塊性能：同類產品中最低的內部熱阻、連接阻抗、內部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊，是賽晶打造精品國產IGBT模塊戰(zhàn)略的最新成果。

已然啟程，未來可期- 車規(guī)級SiC模塊

本次發(fā)布會還介紹了正研發(fā)中的兩款車規(guī)級SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創(chuàng)新設計，能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本，可以滿足汽車市場不同需求。

賽晶半導體，以業(yè)內頂級技術專家團隊為核心，致力于打造國產精品IGBT、SiC產品，服務于電動汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)控制等國家戰(zhàn)略新興產業(yè)。

成立至今，賽晶半導體業(yè)務取得了長足的進步和令人欣喜的成績：我們的生產基地拔地而起、全自動智能化生產線穩(wěn)定運行；我們的i20系列1200V IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊批量生產、廣受好評；我們的研發(fā)團隊大咖云集、研發(fā)成果喜報頻傳。

展望未來，我們將繼續(xù)以打造國產IGBT、SiC精品為己任，為新能源產業(yè)和廣大客戶提供更多、更好的產品與服務。